(相關資料圖)

“青島西海岸新區(qū)舉辦二季度重大項目簽約暨開工現場推進會?，F場共簽約29個項目、總投資441億元；開工30個項目、總投資331億元。

青島西海岸新區(qū)舉辦二季度重大項目簽約暨開工現場推進會?，F場共簽約29個項目、總投資441億元；開工30個項目、總投資331億元。

其中，致真存儲芯片項目簽約青島西海岸新區(qū)，總投資28.5億元，分兩期在新區(qū)建設8英寸、12英寸新一代存儲芯片生產線及研發(fā)中心，所產芯片將極大提升物聯網及汽車芯片存儲器性能，將助力新區(qū)打造國內存儲芯片產業(yè)新增長極。

官網資料顯示，致真存儲（北京）科技有限公司成立于2019年，致力于MRAM芯片的研發(fā)和制造，成功研發(fā)了國內首個80nm以下MRAM核心器件——高隧穿磁阻效應的磁隧道結，關鍵指標達到國際領先水平。自有國內首創(chuàng)8英寸磁性存儲芯片專用后道工藝中試線，實現產品全流程自主可控。