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“青島西海岸新區(qū)舉辦二季度重大項(xiàng)目簽約暨開(kāi)工現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)。現(xiàn)場(chǎng)共簽約29個(gè)項(xiàng)目、總投資441億元；開(kāi)工30個(gè)項(xiàng)目、總投資331億元。

青島西海岸新區(qū)舉辦二季度重大項(xiàng)目簽約暨開(kāi)工現(xiàn)場(chǎng)推進(jìn)會(huì)?，F(xiàn)場(chǎng)共簽約29個(gè)項(xiàng)目、總投資441億元；開(kāi)工30個(gè)項(xiàng)目、總投資331億元。

其中，致真存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目簽約青島西海岸新區(qū)，總投資28.5億元，分兩期在新區(qū)建設(shè)8英寸、12英寸新一代存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線及研發(fā)中心，所產(chǎn)芯片將極大提升物聯(lián)網(wǎng)及汽車芯片存儲(chǔ)器性能，將助力新區(qū)打造國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)新增長(zhǎng)極。

官網(wǎng)資料顯示，致真存儲(chǔ)（北京）科技有限公司成立于2019年，致力于MRAM芯片的研發(fā)和制造，成功研發(fā)了國(guó)內(nèi)首個(gè)80nm以下MRAM核心器件——高隧穿磁阻效應(yīng)的磁隧道結(jié)，關(guān)鍵指標(biāo)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。自有國(guó)內(nèi)首創(chuàng)8英寸磁性存儲(chǔ)芯片專用后道工藝中試線，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品全流程自主可控。