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隨著氮化鎵的快速發(fā)展，功率器件的迭代速度不斷加快。缺乏核心技術(shù)的產(chǎn)品，在這場沒有硝煙的半導體行業(yè)競爭中，已逐漸淘汰，而西安經(jīng)開區(qū)企業(yè)華羿微電憑借優(yōu)異的功率MOS產(chǎn)品，成功殺出重圍，在競爭激烈的市場上奪得一席之地。

華羿微電通過自主創(chuàng)新、技術(shù)積累和市場拓展，現(xiàn)形成了以領(lǐng)先晶圓研發(fā)設(shè)計和一流封測工藝為核心競爭力的業(yè)務(wù)體系，自主研發(fā)已量產(chǎn)的產(chǎn)品包括SGT和Trench工藝的中低壓功率MOSFET，專為電機驅(qū)動而打造的低壓、高壓系統(tǒng)級功率模塊SiPMotion系列產(chǎn)品 。

據(jù)悉，SGT和Trench工藝產(chǎn)品按參數(shù)特性和應(yīng)用領(lǐng)域可分為DynaMOS、RobustFET、Combine NPMOS、HY Trench MOS、Comdrain MOS五大系列，目前已量產(chǎn)的產(chǎn)品型號有400余款，封裝外形有TOLL、TO、PDFN、SOP、CSP、IPM六大系列60余種，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換和電池保護三大領(lǐng)域，在新能源汽車、光伏逆變器、服務(wù)器、電動工具、無人機、移動儲能、BMS等細分市場具有較強的市場競爭力和較高的品牌知名度。

采用Trench工藝設(shè)計的芯片，它的導通電阻更高，寄生電容小，抗沖擊能力突出，適合于低壓的功率MOSFET，以提高系統(tǒng)的效率，降低系統(tǒng)的體積；采用SGT流片工藝設(shè)計的芯片，可以得到更低的導通電阻，同時提升功率密度，并具有極低的開關(guān)損耗，更好的EMI性能等優(yōu)勢，讓MOS具備高頻、高動態(tài)特性。

“酒香不怕巷子深”，華羿微電的產(chǎn)品，憑借優(yōu)異的性能，斬獲倍思、紅魔、鉑陸帝等諸多大品牌的喜愛，依托持續(xù)創(chuàng)新能力和產(chǎn)品應(yīng)用設(shè)計研發(fā)能力，華羿微電將會研發(fā)出更高質(zhì)量、更高可靠性以及更大功率的功率器件產(chǎn)品，為客戶提供更可靠的產(chǎn)品與服務(wù)。